國家實驗研究院
變換字體大小***
主選單

各實驗研究中心

最新消息

國家奈米元件實驗室

國家奈米元件實驗室(National Nano Device Laboratories,NDL)位於新竹與南部科學工業園區。自 1988 年成立以來,即致力於支援國內學術界開發先進半導體製程技術方面的研究及培育業界所需半導體人才。隨著半導體製程由次微米至奈米技術的不斷演進,並配合國家科技政策與產業發展,近年來以傳統矽晶圓奈米製程技術為基礎,進行前瞻 CMOS 元件、能源光電、生醫微機電製程與高頻技術的拓展與轉型,以確實提供產、學、研所需之服務。


 

歷史沿革核心技術
1988 奉行政院核准成立「國家次微米元件實室」
2002 更名為「國家奈米元件實驗室」,於南部科學工業園區成立南區辦公室
2003 改制為「財團法人國家實驗研究院奈米元件實驗室」
2004 「奈米電子研究大樓」落成
  • 奈米 CMOS 元件製程技術
  • 奈米能源與光電技術
  • 奈米生醫微機電元件技術
主要任務核心設施
  • 建構研發平台:整合國內奈米製造儀器設備資源,建立世界級奈米元件製造與電子系統研究整合性開放式實驗研究環境。
  • 支援學術研究:與學界合作進行研究計畫,讓全國各大學院校及學術研究機構充分使用實驗室資源,產出高質量研究。
  • 推動前瞻科技:與國內外產學研單位合作,提升包含「奈米CMOS 元件技術平台」、「奈米能源與光電元件技術平台」、「微機電元件技術平台」三大新興研究領域技術服務水準。
  • 培育科技人才:開設各類訓練課程,培育台灣於奈米元件、奈米光電與奈米機電等相關領域之尖端技術人才。
  • 奈米元件廠
  • 奈米量測實驗室(奈米元件材料分析)
  • 高頻技術中心
  • 奈米元件台南廠(太陽能光電/微機電製程)

主要成果

  • 開發 9 奈米功能性電阻式記憶體(RRAM)陣列晶胞,容量較現行快閃記憶體增加約20 倍,耗電量則降低約200 倍,極具潛力成為未來10 年之兆元產業。
  • 開發全球第一個 16 奈米的功能性靜態隨機存取記憶體之元件雛形,其技術相當於 1 平方公分內有150 億個電晶體。此元件容量約是目前 45 奈米元件之10 倍,耗電量預期可減少一半。
  • 利用 90 奈米 MOS 元件技術開發以矽基材製作微機電與矽奈米線元件。
  • 以高密度電漿矽薄膜沉積技術於可撓式基板上,開發自供太陽能電力電子電路模組。
  • 銀金屬直立導線技術及三角型鍺鰭式電晶體以低電阻的銀與高速度的鍺運用在電晶體上提高近 3 倍的速度,突破傳統材料。
  • 研發出奈米科技晶片,病菌一測即知,可在5 分鐘內速測速決幫助醫生及醫檢師掌握、判定敗血症和菌血症病菌。
  • 研發「累加型三維堆疊CMOS/ 記憶體混成晶片」,可減少晶片面積,且有高速、高密度、低耗電、成本更低及異質結構整合等優勢。
回首頁 Top
國家實驗研究院 國家實驗研究院版權所有 Copyright © 2007-2017  台北市和平東路二段106號3樓 (電子地圖) 電話:02-2737-8000 傳真:02-2737-8044
*
電腦版
國家實驗研究院版權所有 Copyright © 2007-2017  *
˄