IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)，是每年12月在美國舊金山所舉行全球最頂尖的半導體會議。2020年受COVID-19疫情影響，首次改以線上會議辦理，今年度會議主題以「下世代半導體邏輯製程微縮」、「記憶體技術」及「量子計算」等項目為主。
本次IEDM接受發表的論文，採計通訊作者計算，臺灣研究群共取得20篇入選的佳績，其中由國家實驗研究院台灣半導體研究中心(以下簡稱TSRI)主導研究有4篇，並另支援國立交通大學、國立臺灣大學發表7篇。臺灣研究團隊另有台灣積體電路公司發表5篇、旺宏電子發表4篇。
TSRI持續扎根基礎研究服務，透過主導或協助發表IEDM等指標性會議論文的方式，與國際發展趨勢接軌，將關鍵半導體技術轉化為服務平台，並藉此培育國內碩博士級高階研究人力。TSRI今年度IEDM主要成果如下：
1.先進低溫晶片鍵合技術應用於異質通道材料互補式電晶體
與日本產業技術總合研究所(AIST)共同開發低溫晶片鍵合技術，此技術可將不同通道材料的基板，直接鍵合成一個基板，並應用在互補式電晶體元件上，該項技術有效減少元件的面積，提供下世代半導體在多層鍵合與異質整合的研究可行性參考，此國際合作研究成果亦經日媒EETimes披露。
2.一種晶向容忍設計之積層型高速及低功耗之線性穩壓器電路
TSRI與交大研究團隊合作，此技術經由綠光奈秒雷射結晶成長，可準確控制晶粒大小及位置之單晶矽島區陣列通道層，並針對各矽島區的隨機晶格方向所產生的電性差異，可大幅降低穩壓電路的電壓誤差及響應時間。
3.晶圓級三維堆疊具鑲嵌記憶體功能之MoS2/Si共整合CMOS元件
TSRI與交大合作提出，透過TSRI所發展的晶圓級二維沉積系統與元件平台，開發MoS2和Si之垂直堆疊CMOS整合電晶體，此架構在單一元件面積下具有CMOS和非揮發性記憶體的特性，可大幅增進邏輯和記憶體元件的密度，未來將應用於三維晶片、下世代新興材料記憶體內運算，以及類神經電子等領域。
4.以超快雷射製程所製作之單晶片式三維記憶體運算電路
TSRI與清大研究團隊共同研究開發多項低熱預算製程技術，配合中心多年所積累的蝕刻技術能力，開發出下世代需求的後段閘極環繞互補式電晶體和鐵電記憶體，實現層與層堆疊之獨特三維近記憶運算電路，有效地縮減50%電路面積，降低製作成本及電路的傳輸功耗，未來可應用在智慧物聯網產業。
TSRI佈局包含「下世代元件」、「前瞻記憶體」、「矽基量子計算次系統開發」等半導體技術與IC應用技術服務平台，深化國內產學研團隊研究能量，提供從元件、電路到系統整合的一條龍服務，建立半導體製造、封裝測試、IC設計、矽智財、系統整合等開放性資訊與服務平台，縮短國內產學研在技術開發與驗證時間，避免資源重複投入，並培育整合性高階科技人才。
