「2011台灣奈米影像競賽」由國家科學委員會奈米科技人才培育計畫、國立臺灣大學奈米機電系統研究中心、明志科技大學共同主辦。國研院儀科中心所創作之奈微米影像，自339件參賽作品中脫穎而出，分別榮獲「掃描探針顯微鏡(SPM)影像組」第二名及「掃描式電子顯微鏡(SEM)影像組」佳作的肯定！

奈米影像競賽為台灣本土奈米尺度研究成果展示的年度盛事，為鼓勵奈米科技研究者與產業界將研究或產品的相關成果與大眾分享，自2006年起已連續五年舉辦 「台灣奈米影像競賽」，成果斐然。本屆(2011)競賽以激發民眾對奈米科技的興趣，培養科學精神、科學態度與科學能力為主軸，並分為掃描式電子顯微鏡 (SEM)影像組、穿透式電子顯微鏡(TEM)影像組、及掃描探針顯微鏡(SPM)影像組，進行競賽。

作品「絕處逢生：重現生命力」榮獲掃描探針顯微鏡(SPM)影像組第二名

儀科中心蘇健穎副研究員與交通大學奈米科技研究所/材料系許鉦宗教授研究團隊，共同創作之作品「絕處逢生：重現生命力」，於「掃描探針顯微鏡(SPM)影像組」榮獲第二名。

得獎作品猶如決堤一瞬間的 "凝結畫面"，此為高解析表面電位顯微術(SKPM)影像；該影像除了呈現表面形貌高低起伏之外，並且渲染(render)相對應的表面電位高低色階，其 中色階亮度代表該處表面電位高低程度。影像中心近似凹槽部分為p-type半導體，其周圍經黃光微影、10 KeV離子佈植及950℃高溫退火形成p-n接面結構，其中相接鄰的亮環到暗環代表電子由n-region 擴散到 p-region 與電洞結合形成負離子區 (暗環)，而其原處則形成正離子區(亮環)，影像清楚呈現兩區空間電荷(space charge)的分佈範圍(depletion region)，電位屏障有效阻絕載子進一步 "入侵”。

高解析表面電位顯微術(SKPM)為典型Kelvin probe於奈米科技領域的延伸應用，採用非接觸式極近距離的方式取得樣品表面電位與功函數的侷域分佈資訊，取得此影像的設定量測距離小至10 nm。此次使用一般研究型SKPM搜尋特定結構表面電位影像的困難度高。

作品「大崩壞」獲得掃描式電子顯微鏡(SEM)影像組佳作

儀科中心林峻霆助理研究員、朱念南助理技術師與清華大學材料科學工程學系林鶴南教授實驗室合作之作品「大崩壞」，則獲得「掃描式電子顯微鏡(SEM)影像組」佳作。

得獎作品係於氟錫氧化物基材上，以化學氣相沉積法成長氧化鋅奈米線(ZnO NWs)過度成長的結果。ZnO NWs 不規則地雜亂分布在基材上，呈現出大崩壞的景象，這一刻在奈米世界中被記錄了下來。

儀科中心為我國儀器科技研究的重要單位，近年來為因應國家科學發展、產業昇級之使命，投入奈微米機電之研究領域。儀科中心奈米廠擁有先進的製程設備與充足的研發能量，對於系統微型化、關鍵零組件開發、以及支援國內外產、學、研界之委託研究，具備強而有力的競爭優勢。藉由本次的獲獎，更能提升儀科中心於國內奈米尺度研究領域的能見度。