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奈米中心注入新血 自台積電攬才共創新猷

奈米元件實驗室楊富量主任(左)從國研院院長莊哲男(右)手中接下聘書奈米元件實驗室楊富量主任(左)從國研院院長莊哲男(右)手中接下聘書

歷經4個多月的遴選過程,奈米中心主任一職最後確定由擁有英國劍橋大學材料科學博士學位的楊富量博士擔任,並於8月4日舉行佈達典禮。楊富量主任在加入國家實驗研究院奈米中心之前,在台積電擔任研究發展組織副處長並兼任台積科技院科技委員,楊主任自1994年起在先進半導體製程、邏輯元件及記憶體元件已有15年的工業界前瞻技術開發經驗,並曾獲超過兩百件專利。楊主任之前所領導的研發團隊在奈米元件領域擁有多項紀錄,首先於2004年開發出全世界最小的電晶體,閘門長度僅為五奈米。 2005年做出當時最小的20奈米快閃記憶體(Flash Memory)元件。2003年完成全球第一個65奈米的絕緣層覆矽(SOI)高性能電晶體元件。2004年發表第一個45奈米靜態隨機存取記憶體(SRAM)的單位晶胞,並於2005年再發表第一個32奈米的SRAM單位晶胞。2006年起,楊富量博士的研究領域擴展至奈米元件的微擾理論,並於2007年發表第一個20奈米元件電性擾動的實驗和模型分析。楊博士曾先後受邀至美國ISSCC、CICC及日本的SSDM國際半導體會議報告其卓越的研究成果,並於2004年榮獲中國工程師學會頒發優秀青年工程師獎章及多項台積電的創新研發獎章。在佈達典禮上,許多嘉賓也到場致賀,包含交通大學吳重雨校長、元智大學彭宗平校長、清華大學林永隆研發長、旺宏電子盧志遠總經理、台積電孫元成副總以及群創楊秋蓮副處長等貴賓,其中交通大學吳重雨校長除了感謝國家實驗研究院長期提供學術界優質的研究平台之外,也期許未來透過合作提升彼此的研究能量,讓雙方能夠擦出火花,吳校長更稱讚楊富量主任是一個溫良恭儉讓的優秀人才,相信奈米中心與學校之間將來能有更密切的合作。

全體貴賓大合照全體貴賓大合照

旺宏電子盧志遠總經理更是對楊主任過往的表現讚譽有加,相對於吳校長提的「溫良恭儉讓」,盧總經理打趣的說楊主任一點都不「讓」,因為楊主任做事非常積極、當仁不讓,現在到奈米中心來服務,從業界的角度來看是為彼此加分,他給予最大的祝福與期許。另外,楊主任的老長官台積電副總孫元成也親自到現場祝賀,孫副總說自己抱著嫁女兒的心情來參加這場佈達典禮,他表示楊主任過去在台積電時,在前瞻性研究方面屢有重大的貢獻,是個有遠見、熱情、又非常有執行力的青年才俊,他希望藉由楊主任的專長為奈米中心創造新紀元,今後台積電也會進一步加強與奈米中心的合作,並且聯合其他研究中心一起努力成為世界級的研發中心。接下主任一職,楊主任表示雖然聘書很輕薄,但是背後的責任和挑戰卻是千斤萬擔,在主任的任期內,他期許自己能夠做到兩件事:第一是做好服務,以提供學術界奈米元件世界級的研發創新平台;第二是做好研究,以提供兩兆雙星的半導體產業和面板產業,以及新興的奈米微機電產業、奈米生醫產業和奈米能源產業,以IMEC為目標的智慧財產平台。楊主任表示感謝國家實驗研究院和國科會(103年3月改制為科技部)讓他有機會為學術界服務,同時也能替產業界的基礎和前瞻研究盡一己之力。他將非常地珍惜這個機會,每天和時間賽跑,希望能以卓越的服務和研究成果,來答謝國家實驗研究院和國科會(103年3月改制為科技部)的支持,以及學術界、產業界和各方朋友的愛護和鼓勵。國家實驗研究院院長莊哲男除了代表國研院這個大家庭歡迎楊主任的加入之外,也希望未來國研院能夠結合學術界、產業界的能量,一起邁向國際,引領前瞻性產業,為台灣科技領域創造新局,奠定邁向綠色矽島的里程碑。